Framleiðandi Vöru númer:
G10N03S
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G10N03S-DG
Lýsing:
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Birgðir:
3730 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13000403
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G10N03S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
839 pF @ 15 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
3141-G10N03SCT
3141-G10N03STR
3141-G10N03SDKR
4822-G10N03STR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
PSMP075N15NS1_T0_00601
150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
SI2323DS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
IRLR110TRPBF-BE3
N-CHANNEL 100V