G09P02L
Framleiðandi Vöru númer:

G09P02L

Product Overview

Framleiðandi:

Goford Semiconductor

Völu númer:

G09P02L-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 20V 9A SOT-23-3L
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 9A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Birgðir:

90000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12999663
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

G09P02L Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Vgs (hámark)
±12V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
4822-G09P02LTR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
renesas-electronics-america

RJK5013DPP-E0#T2

RJK5013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA

renesas-electronics-america

2SK3354-AZ

2SK3354-AZ - SWITCHING N-CHANNEL

goford-semiconductor

G7P03L

MOSFET P-CH 30V 7A SOT-23-3L

vishay-siliconix

SIHB120N60E-T1-GE3

N-CHANNEL 600V