Framleiðandi Vöru númer:
G08N06S
Product Overview
Framleiðandi:
Goford Semiconductor
Völu númer:
G08N06S-DG
Lýsing:
N60V, RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 5A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Birgðir:
7770 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12987540
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G08N06S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Goford Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
979 pF @ 30 V
FET eiginleiki
Standard
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-SOP
Pakki / hulstur
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
4,000
Önnur nöfn
3141-G08N06SDKR
4822-G08N06STR
3141-G08N06STR
3141-G08N06SCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
MMFTP84K-AQ
MOSFET SOT23 P -60V -0.18A 10OHM
SIHH250N60EF-T1GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
18N20
MOSFET N-CH 200V 18A TO-252