Framleiðandi Vöru númer:
GP2T080A120U
Product Overview
Framleiðandi:
SemiQ
Völu númer:
GP2T080A120U-DG
Lýsing:
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-247-3
Birgðir:
1416 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12973184
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
GP2T080A120U Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
SemiQ
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1377 pF @ 1000 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
188W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
GP2T080A
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
1560-GP2T080A120U
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
PJF9NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
PJD85N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MMDF4N01HDR2
TRANS MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-PIN
