Framleiðandi Vöru númer:
G2R1000MT17D
Product Overview
Framleiðandi:
GeneSiC Semiconductor
Völu númer:
G2R1000MT17D-DG
Lýsing:
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1700 V 5A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-247-3
Birgðir:
6559 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12945350
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
G2R1000MT17D Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
GeneSiC Semiconductor
Pakkning
Tube
Röð
G2R™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1700 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 500µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 20 V
Vgs (hámark)
+25V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
111 pF @ 1000 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
44W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-3
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
G2R1000
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
1242-G2R1000MT17D
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
G3R30MT12J
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
