Framleiðandi Vöru númer:
SSW2N60BTM
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
SSW2N60BTM-DG
Lýsing:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 3.13W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
4632 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12938457
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SSW2N60BTM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 54W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
650
Önnur nöfn
FAIFSCSSW2N60BTM
2156-SSW2N60BTM
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTBG040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
MTP9N25E
N-CHANNEL POWER MOSFET
ISZ040N03L5ISATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
