Framleiðandi Vöru númer:
SSU1N60BTU
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
SSU1N60BTU-DG
Lýsing:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
Birgðir:
25769 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12938468
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SSU1N60BTU Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
215 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I-PAK
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,219
Önnur nöfn
FAIFSCSSU1N60BTU
2156-SSU1N60BTU
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
PMN27XPE115
SMALL SIGNAL FET
AOWF190A60C
MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
AOTF190A60CL
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
