Framleiðandi Vöru númer:
ISL9N308AP3
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
ISL9N308AP3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
3200 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12954236
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
ISL9N308AP3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
UltraFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2600 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
370
Önnur nöfn
2156-ISL9N308AP3
FAIFSCISL9N308AP3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AOT600A60L
MOSFET N-CH 600V 8A TO220
SI3451DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
TSG65N190CR RVG
650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR
