Framleiðandi Vöru númer:
IRFW520ATM
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
IRFW520ATM-DG
Lýsing:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
774 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12931717
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IRFW520ATM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
480 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
774
Önnur nöfn
FAIFSCIRFW520ATM
2156-IRFW520ATM
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF731
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFW644BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET
EC4409C-TL-H
NCH 1.8V DRIVE SERIES