Framleiðandi Vöru númer:
FQPF8N90C
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FQPF8N90C-DG
Lýsing:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F
Birgðir:
2796 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946480
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQPF8N90C Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2080 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
60W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
FQPF8
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
237
Önnur nöfn
2156-FQPF8N90C
ONSFSCFQPF8N90C
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
FCPF9N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
IRF6668TRPBF
IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
