Framleiðandi Vöru númer:
FQPF6N80T
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FQPF6N80T-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 3.3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Birgðir:
3715 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946624
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQPF6N80T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.95Ohm @ 1.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
51W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F-3
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
240
Önnur nöfn
2156-FQPF6N80T
FAIFSCFQPF6N80T
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQP4N20L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
IRF6726MTRPBF
IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FDPF44N25TRDTU
MOSFET N-CH 250V 44A TO220F