Framleiðandi Vöru númer:
FQP2N80
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FQP2N80-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
900 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946701
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQP2N80 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
QFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
85W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
415
Önnur nöfn
2156-FQP2N80
FAIFSCFQP2N80
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDPF680N10T
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
FQI8N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
IRLR2905ZTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK