Framleiðandi Vöru númer:
FQI10N60CTU
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FQI10N60CTU-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Birgðir:
55208 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13075926
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FQI10N60CTU Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Tube
Röð
QFET®
Umbúðir
Tube
Staða hluta
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2040 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
333
Önnur nöfn
FAIFSCFQI10N60CTU
2156-FQI10N60CTU-FS
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FQAF19N60
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
FQPF6N50
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO220F
FDZ202P
MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
