FDP025N06
Framleiðandi Vöru númer:

FDP025N06

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FDP025N06-DG

Lýsing:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-220-3

Birgðir:

1401 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946582
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDP025N06 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
226 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14885 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
395W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
119
Önnur nöfn
FAIFSCFDP025N06
2156-FDP025N06

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FQP6N40C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMS7660

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQP5N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4