Framleiðandi Vöru númer:
FDD8896-F085
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FDD8896-F085-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 17A/94A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Birgðir:
973 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12947023
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDD8896-F085 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17A (Ta), 94A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2525 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
80W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252 (DPAK)
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
614
Önnur nöfn
2156-FDD8896-F085
ONSFSCFDD8896-F085
Umhverfis- og útflutningsflokkun
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDMS8026S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQI50N06TU
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
FDMS86152
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
