FDD8878
Framleiðandi Vöru númer:

FDD8878

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FDD8878-DG

Lýsing:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Birgðir:

30452 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12947285
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDD8878 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
880 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
40W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252 (DPAK)
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
611
Önnur nöfn
FAIFSCFDD8878
2156-FDD8878

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FQPF10N50CF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

renesas-electronics-america

RJK1535DPE-LE

40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M

fairchild-semiconductor

FDD8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRF2805STRL

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK