FDC653N
Framleiðandi Vöru númer:

FDC653N

Product Overview

Framleiðandi:

Fairchild Semiconductor

Völu númer:

FDC653N-DG

Lýsing:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Birgðir:

2505 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12946642
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDC653N Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.6W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SuperSOT™-6
Pakki / hulstur
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,192
Önnur nöfn
FAIFSCFDC653N
2156-FDC653N

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI vottun
Tengdar vörur
fairchild-semiconductor

FDPF12N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8444

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8447L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

stmicroelectronics

STD80N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK