Framleiðandi Vöru númer:
FCP165N65S3R0
Product Overview
Framleiðandi:
Fairchild Semiconductor
Völu númer:
FCP165N65S3R0-DG
Lýsing:
FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
2115 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12977036
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FCP165N65S3R0 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Pakkning
Bulk
Röð
SuperFET® III
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 440mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
154W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
143
Önnur nöfn
2156-FCP165N65S3R0
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPW65R075CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
HAT1091C0S-EL-E
HAT1091C0S - P-CHANNEL POWER MOS
NP80N06MLG-S18-AY
NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C