Framleiðandi Vöru númer:
EPC8002
Product Overview
Framleiðandi:
EPC
Völu númer:
EPC8002-DG
Lýsing:
GANFET N-CH 65V 2A DIE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 65 V 2A (Ta) Surface Mount Die
Birgðir:
52932 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12795199
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
EPC8002 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
EPC
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
eGaN®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
65 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (hámark)
+6V, -4V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
21 pF @ 32.5 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
Die
Pakki / hulstur
Die
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
Q9582320
917-1118-2
917-1118-1
917-1118-6
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
EPC2025
GANFET N-CH 300V 4A DIE
EPC2021ENGR
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
EPC2050
TRANS GAN BUMPED DIE
