Framleiðandi Vöru númer:
EPC2110
Product Overview
Framleiðandi:
EPC
Völu númer:
EPC2110-DG
Lýsing:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 120V 3.4A Die
Birgðir:
14435 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12795187
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
EPC2110 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
EPC
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
eGaN®
Staða vöru
Active
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Stelling
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.4A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
80pF @ 60V
Kraftur - hámark
-
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Pakki / hulstur
Die
Birgir tæki pakki
Die
Grunnvörunúmer
EPC211
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
917-1152-6
917-1152-2
917-1152-1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI vottun
Tengdar vörur
EPC2107
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC2111
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
EPC2103
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
