Framleiðandi Vöru númer:
EPC2016
Product Overview
Framleiðandi:
EPC
Völu númer:
EPC2016-DG
Lýsing:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die
Birgðir:
12815126
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
EPC2016 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
EPC
Pakkning
-
Röð
eGaN®
Staða vöru
Discontinued at Digi-Key
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
+6V, -5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
520 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 125°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
Die
Pakki / hulstur
Die
Grunnvörunúmer
EPC20
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Valkostamódeli
Partanúmer
EPC2016C
FRAMLEIÐANDI
EPC
Fjöldi í boði
177045
HLUTARNÁMR
EPC2016C-DG
Einingaverð
1.07
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
