Framleiðandi Vöru númer:
FBG10N30BC
Product Overview
Framleiðandi:
EPC Space, LLC
Völu númer:
FBG10N30BC-DG
Lýsing:
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 30A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Birgðir:
170 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12997488
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FBG10N30BC Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
EPC Space
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
+6V, -4V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1000 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-SMD
Pakki / hulstur
4-SMD, No Lead
Aukainformation
Venjulegur pakki
154
Önnur nöfn
4107-FBG10N30BC
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDC638P-P
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
CMS23P04D-HF
MOSFET P-CH 40V 23A DPAK
