FBG04N30BC
Framleiðandi Vöru númer:

FBG04N30BC

Product Overview

Framleiðandi:

EPC Space, LLC

Völu númer:

FBG04N30BC-DG

Lýsing:

GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 30A (Tc) Surface Mount 4-SMD

Birgðir:

161 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12997406
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FBG04N30BC Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
EPC Space
Pakkning
Bulk
Röð
FSMD-B
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
GaNFET (Gallium Nitride)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11.4 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
+6V, -4V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1300 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
-
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-SMD
Pakki / hulstur
4-SMD, No Lead

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
154
Önnur nöfn
4107-FBG04N30BC

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
goford-semiconductor

25P06

MOSFET P-CH 60V 25A TO-252

vishay-siliconix

SQA600CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

onsemi

FDD6685-G

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

rohm-semi

RF4G100BGTCR

NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M