Framleiðandi Vöru númer:
ZXMN6A25G
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
ZXMN6A25G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Birgðir:
12886982
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
ZXMN6A25G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1063 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-223-3
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Grunnvörunúmer
ZXMN6
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
ZXMN6A25GTR
ZXMN6A25GDKR
ZXMN6A25GCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRLL024ZTRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
8701
HLUTARNÁMR
IRLL024ZTRPBF-DG
Einingaverð
0.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
ZXMN6A25GTA
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
21837
HLUTARNÁMR
ZXMN6A25GTA-DG
Einingaverð
0.37
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
STN3NF06L
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
11330
HLUTARNÁMR
STN3NF06L-DG
Einingaverð
0.35
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
ZXMN3A14FQTA
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
ZXMN6A25N8TA
MOSFET N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMP7A17GQTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223