Framleiðandi Vöru númer:
ZXMN2B03E6TA
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
ZXMN2B03E6TA-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Birgðir:
2518 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12904987
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
ZXMN2B03E6TA Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1160 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-6
Pakki / hulstur
SOT-23-6
Grunnvörunúmer
ZXMN2
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
ZXMN2B03E6DKR
ZXMN2B03E6CT
ZXMN2B03E6TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SI3442BDV-T1-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
26929
HLUTARNÁMR
SI3442BDV-T1-E3-DG
Einingaverð
0.17
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RUQ050N02TR
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2985
HLUTARNÁMR
RUQ050N02TR-DG
Einingaverð
0.31
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFBC40LCL
MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK
IRF740LCSTRR
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
ZVN3310ASTOB
MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
