Framleiðandi Vöru númer:
ZXMN2A01E6TC
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
ZXMN2A01E6TC-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Birgðir:
12885066
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
ZXMN2A01E6TC Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
303 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-6
Pakki / hulstur
SOT-23-6
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
ZXMN2A01E6TA
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
7328
HLUTARNÁMR
ZXMN2A01E6TA-DG
Einingaverð
0.18
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
SI3442BDV-T1-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
26929
HLUTARNÁMR
SI3442BDV-T1-E3-DG
Einingaverð
0.17
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
ZVP4424ASTOA
MOSFET P-CH 240V 200MA E-LINE
ZVNL110GTC
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
ZVN3306ASTOA
MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
