Framleiðandi Vöru númer:
ZXMN10B08E6QTA
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
ZXMN10B08E6QTA-DG
Lýsing:
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Birgðir:
12978860
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
ZXMN10B08E6QTA Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.3V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
497 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-26
Pakki / hulstur
SOT-23-6
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
31-ZXMN10B08E6QTATR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
ZXMN10B08E6TA
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
5553
HLUTARNÁMR
ZXMN10B08E6TA-DG
Einingaverð
0.23
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMP2016UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
DMT12H007SPS-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
