Framleiðandi Vöru númer:
DMT64M1LCG-13
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMT64M1LCG-13-DG
Lýsing:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 65 V 16.7A (Ta), 67.8A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Birgðir:
13000703
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMT64M1LCG-13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
65 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2626 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.2W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
31-DMT64M1LCG-13TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMP2067LSS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMNH6010SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
RS6N120BHTB1
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
