Framleiðandi Vöru númer:
DMT12H090LFDF4-13
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMT12H090LFDF4-13-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 115 V 3.4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6
Birgðir:
13270141
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMT12H090LFDF4-13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
115 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
251 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
900mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
X2-DFN2020-6
Pakki / hulstur
6-PowerXDFN
Grunnvörunúmer
DMT12
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10,000
Önnur nöfn
31-DMT12H090LFDF4-13TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMT12H090LFDF4-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DMT12H090LFDF4-7-DG
Einingaverð
0.29
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
XP235N2001TR-G
MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
XP262N7002TR-G
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
XP234N0801TR-G
MOSFET N-CH 30V 800MA SOT23