DMT12H007LPS-13

Framleiðandi Vöru númer:

DMT12H007LPS-13

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMT12H007LPS-13-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 120 V 90A (Tc) 2.9W Surface Mount PowerDI5060-8

Birgðir:

6056 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12921712

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

DMT12H007LPS-13 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Diodes Incorporated

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

120 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

90A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

49 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

3224 pF @ 60 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.9W

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerDI5060-8

Pakki / hulstur

8-PowerTDFN

Grunnvörunúmer

DMT12

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

DMT12H007LPS-13-DG

Gagnaplakks

DMT12H007LPS-13

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,500

Önnur nöfn

31-DMT12H007LPS-13DKR

31-DMT12H007LPS-13CT

31-DMT12H007LPS-13TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

diodes

DMN22M5UFG-7

MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333

vishay-siliconix

SUP90330E-GE3

MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB

vishay-siliconix

SIRC10DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SISA16DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8