Framleiðandi Vöru númer:
DMT10H4M5LPS-13
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMT10H4M5LPS-13-DG
Lýsing:
MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Birgðir:
12895726
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMT10H4M5LPS-13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4843 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerDI5060-8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
DMT10
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
DMT10H4M5LPS-13DI
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TSM8N80CI C0G
MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
TSM60NB099PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
