DMT10H017LPD-13

Framleiðandi Vöru númer:

DMT10H017LPD-13

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMT10H017LPD-13-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50

Mikilvægar upplýsingar:

Mosfet Array 100V 54.7A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8

Birgðir:

2475 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12895307

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

DMT10H017LPD-13 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir

Framleiðandi

Diodes Incorporated

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Stelling

2 N-Channel (Dual)

FET eiginleiki

-

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

54.7A (Tc)

Rds á (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

28.6nC @ 10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1986pF @ 50V

Kraftur - hámark

2.2W (Ta), 78W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Einkunn

Automotive

Hæfni

AEC-Q101

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Pakki / hulstur

8-PowerTDFN

Birgir tæki pakki

PowerDI5060-8

Grunnvörunúmer

DMT10

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

DMT10H017LPD-13-DG

Gagnaplakks

DMT10H017LPD-13

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,500

Önnur nöfn

31-DMT10H017LPD-13DKR

31-DMT10H017LPD-13TR

DMT10H017LPD-13-DG

31-DMT10H017LPD-13CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

DMNH6065SPDWQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50

diodes

DMP2066LSD-13

MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8SO

taiwan-semiconductor

TSM500P02DCQ RFG

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 6TDFN

taiwan-semiconductor

TSM8588CS RLG

MOSFET N/P-CH 60V 2.5A/5A 8SOP