Framleiðandi Vöru númer:
DMT10H010LCT
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMT10H010LCT-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 98A (Tc) 2W (Ta), 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
43 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12884898
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMT10H010LCT Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
98A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3000 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 139W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
DMT10
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
DMT10H010LCTDI
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDP100N10
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
2970
HLUTARNÁMR
FDP100N10-DG
Einingaverð
1.72
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFP130N10T2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFP130N10T2-DG
Einingaverð
3.09
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
CSD19503KCS
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
390
HLUTARNÁMR
CSD19503KCS-DG
Einingaverð
0.67
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN1053UCP4-7
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
DMG4N60SK3-13
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
DMN2046U-13
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
