Framleiðandi Vöru númer:
DMT10H009SCG-7
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMT10H009SCG-7-DG
Lýsing:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 48A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Birgðir:
13000941
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMT10H009SCG-7 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Ta), 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
DMT10
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
31-DMT10H009SCG-7TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
G33N03S
N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
G65P06T
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
GT105N10T
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
