DMT10H009SCG-7
Framleiðandi Vöru númer:

DMT10H009SCG-7

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMT10H009SCG-7-DG

Lýsing:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 48A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Birgðir:

13000941
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

DMT10H009SCG-7 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Ta), 48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.3W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
DMT10

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
31-DMT10H009SCG-7TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
goford-semiconductor

G33N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

goford-semiconductor

G65P06T

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220

goford-semiconductor

GT105N10T

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

onsemi

NVMYS2D3N06CTWG

T6 60V SL LFPAK4 5X6