Framleiðandi Vöru númer:
DMNH10H028SPSQ-13
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMNH10H028SPSQ-13-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Birgðir:
2300 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12884715
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMNH10H028SPSQ-13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2245 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.6W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerDI5060-8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
DMNH10
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
DMNH10H028SPSQ-13DIDKR
DMNH10H028SPSQ-13DICT
DMNH10H028SPSQ-13DITR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
BSC252N10NSFGATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
12
HLUTARNÁMR
BSC252N10NSFGATMA1-DG
Einingaverð
0.45
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDMC86102
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
5035
HLUTARNÁMR
FDMC86102-DG
Einingaverð
0.83
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMT40M9LPS-13
MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
DMN2024U-7
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3