Framleiðandi Vöru númer:
DMN90H8D5HCT
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN90H8D5HCT-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
12949076
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN90H8D5HCT Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
900 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
DMN90
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
DMN90H8D5HCT-DG
DMN90H8D5HCTDI
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP2NK90Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
641
HLUTARNÁMR
STP2NK90Z-DG
Einingaverð
0.76
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTP2N100
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTP2N100-DG
Einingaverð
3.24
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTP2R4N120P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
14
HLUTARNÁMR
IXTP2R4N120P-DG
Einingaverð
3.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTP2N100P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
136
HLUTARNÁMR
IXTP2N100P-DG
Einingaverð
1.49
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMTH4005SPS-13
MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
3401
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
3401
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23
