DMN3112SSS-13

Framleiðandi Vöru númer:

DMN3112SSS-13

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMN3112SSS-13-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 30 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Birgðir:

RFQ á netinu

12891490

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

DMN3112SSS-13 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Diodes Incorporated

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Obsolete

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

6A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

268 pF @ 15 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.5W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

8-SOP

Pakki / hulstur

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Grunnvörunúmer

DMN3112

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

DMN3112SSS-13-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,500

Önnur nöfn

DMN3112SSS13

DMN3112SSSDICT

DMN3112SSSDITR

DMN3112SSSDIDKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14G65W,RQ

MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK

diodes

BSS138W-7

MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2035(T5L,F,T)

MOSFET N-CH 20V 100MA SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH5R906NH,L1Q

MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP