Framleiðandi Vöru númer:
DMN3009SFGQ-13
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN3009SFGQ-13-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Birgðir:
12888914
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN3009SFGQ-13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2000 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
900mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerDI3333-8
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
DMN3009
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN3009SFG-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
238
HLUTARNÁMR
DMN3009SFG-7-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
TPH6R003NL,LQ
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
2829
HLUTARNÁMR
TPH6R003NL,LQ-DG
Einingaverð
0.31
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN3009SFG-7
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
BUK7608-40B,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
DMT6004SCT
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
