DMN3009SFG-13
Framleiðandi Vöru númer:

DMN3009SFG-13

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMN3009SFG-13-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Birgðir:

12899153
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

DMN3009SFG-13 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2000 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
900mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerDI3333-8
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
DMN3009

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
DMN3009SFG-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
238
HLUTARNÁMR
DMN3009SFG-7-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
STL11N3LLH6
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2745
HLUTARNÁMR
STL11N3LLH6-DG
Einingaverð
0.49
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
diodes

DMTH8012LPS-13

MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060

taiwan-semiconductor

TSM2N60ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251

taiwan-semiconductor

TSM10N60CZ C0G

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

diodes

DMPH3010LK3Q-13

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252