DMN2710UT-13
Framleiðandi Vöru númer:

DMN2710UT-13

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMN2710UT-13-DG

Lýsing:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 870mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Birgðir:

12999685
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

DMN2710UT-13 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
870mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±6V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
42 pF @ 16 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
320mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-523
Pakki / hulstur
SOT-523
Grunnvörunúmer
DMN2710

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
10,000
Önnur nöfn
31-DMN2710UT-13TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
DMN2710UTQ-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
1532
HLUTARNÁMR
DMN2710UTQ-7-DG
Einingaverð
0.05
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI6423DQ-T1-BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

goford-semiconductor

60N06

MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

goford-semiconductor

G7P03L

P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34

goford-semiconductor

GC11N65M

MOSFET N-CH 650V 11A TO-263