Framleiðandi Vöru númer:
DMN2451UFB4Q-7R
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN2451UFB4Q-7R-DG
Lýsing:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Birgðir:
12987710
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN2451UFB4Q-7R Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
32 pF @ 16 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
660mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
X2-DFN1006-3
Pakki / hulstur
3-XFDFN
Grunnvörunúmer
DMN2451
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
31-DMN2451UFB4Q-7RTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN2451UFB4Q-7B
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
135
HLUTARNÁMR
DMN2451UFB4Q-7B-DG
Einingaverð
0.02
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
DMN2451UFB4-7B
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DMN2451UFB4-7B-DG
Einingaverð
0.03
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
E3M0060065K
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
2SK3798(STA4,Q,M)
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
DI020P06PT
MOSFET PWRQFN 3X3 -60V 0.045OHM
