DMN2022UNS-13

Framleiðandi Vöru númer:

DMN2022UNS-13

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMN2022UNS-13-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333

Mikilvægar upplýsingar:

Mosfet Array 20V 10.7A (Ta) 1.2W Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXB)

Birgðir:

RFQ á netinu

12890073

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

DMN2022UNS-13 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir

Framleiðandi

Diodes Incorporated

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Stelling

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET eiginleiki

-

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

10.7A (Ta)

Rds á (Max) @ Id, Vgs

10.8mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

20.3nC @ 4.5V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1870pF @ 10V

Kraftur - hámark

1.2W

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Pakki / hulstur

8-PowerVDFN

Birgir tæki pakki

PowerDI3333-8 (Type UXB)

Grunnvörunúmer

DMN2022

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

DMN2022UNS-13-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

DMN2022UNS-13DITR

DMN2022UNS-13DICT

DMN2022UNS-13DIDKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8207(TE12L)

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N17FU(TE85L,F)

MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N44FE,LM

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6N55NU,LF

MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN