Framleiðandi Vöru númer:
DMN2022UFDF-13
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN2022UFDF-13-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Birgðir:
12882181
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN2022UFDF-13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
907 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
660mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakki / hulstur
6-UDFN Exposed Pad
Grunnvörunúmer
DMN2022
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDMA410NZT
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
23878
HLUTARNÁMR
FDMA410NZT-DG
Einingaverð
0.26
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
DMN2022UFDF-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
5599
HLUTARNÁMR
DMN2022UFDF-7-DG
Einingaverð
0.09
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMJ70H600SH3
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
DMTH3004LK3-13
MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
DMP6185SE-13
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
