Framleiðandi Vöru númer:
DMN2011UFDF-7
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN2011UFDF-7-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Birgðir:
12882897
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN2011UFDF-7 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2248 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakki / hulstur
6-UDFN Exposed Pad
Grunnvörunúmer
DMN2011
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
DMN2011UFDF-7DIDKR
31-DMN2011UFDF-7TR
DMN2011UFDF-7DIDKR-DG
DMN2011UFDF-7DITR
DMN2011UFDF-7-DG
DMN2011UFDF-7DICT
DMN2011UFDF-7DICT-DG
DMN2011UFDF-7DITR-DG
31-DMN2011UFDF-7DKR
31-DMN2011UFDF-7CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN2011UFDF-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
9286
HLUTARNÁMR
DMN2011UFDF-13-DG
Einingaverð
0.12
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
PMPB8XNX
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
5000
HLUTARNÁMR
PMPB8XNX-DG
Einingaverð
0.11
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
2N7002AQ-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
