Framleiðandi Vöru númer:
DMN2005UFGQ-7
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN2005UFGQ-7-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 50A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Birgðir:
12887991
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN2005UFGQ-7 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6495 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.05W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerDI3333-8
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
DMN2005
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
DMN2005UFGQ-7DI
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN2005UFGQ-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
DMN2005UFGQ-13-DG
Einingaverð
0.33
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN3018SFGQ-13
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
DMG2302U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
DMN2050L-7
MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
