DMN2005LP4K-7

Framleiðandi Vöru númer:

DMN2005LP4K-7

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMN2005LP4K-7-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 20 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Birgðir:

30047 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12898972

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

DMN2005LP4K-7 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Diodes Incorporated

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

200mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 100µA

Vgs (hámark)

±10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

41 pF @ 3 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

400mW (Ta)

Hitastig rekstrar

-65°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

X2-DFN1006-3

Pakki / hulstur

3-XFDFN

Grunnvörunúmer

DMN2005

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

DMN2005LP4K-7-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

DMN2005LP4KDITR

DMN2005LP4K7

DMN2005LP4KDIDKR

DMN2005LP4KDICT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

taiwan-semiconductor

TSM70N1R4CH C5G

MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251

taiwan-semiconductor

TSM70N900CP ROG

MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252

taiwan-semiconductor

TSM4ND60CI C0G

MOSFET N-CH 600V 4A ITO220

taiwan-semiconductor

TSM2314CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23