Framleiðandi Vöru númer:
DMN10H120SFG-13
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMN10H120SFG-13-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 3.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Birgðir:
2848 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12882776
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMN10H120SFG-13 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
549 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerDI3333-8
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
DMN10
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
31-DMN10H120SFG-13TR
DMN10H120SFG-13DITR
31-DMN10H120SFG-13DKR
DMN10H120SFG-13DICT
DMN10H120SFG-13-DG
31-DMN10H120SFG-13CT
DMN10H120SFG-13DIDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMN10H120SFG-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
60281
HLUTARNÁMR
DMN10H120SFG-7-DG
Einingaverð
0.20
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
IRFHM3911TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
34248
HLUTARNÁMR
IRFHM3911TRPBF-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMN2011UFDF-13
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
DMN10H170SFG-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
DMN3900UFA-7B
MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
