DMN1019UVT-7

Framleiðandi Vöru númer:

DMN1019UVT-7

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMN1019UVT-7-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 12 V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26

Birgðir:

6295 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12890219

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

DMN1019UVT-7 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Diodes Incorporated

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

12 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

10.7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

50.4 nC @ 8 V

Vgs (hámark)

±8V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

2588 pF @ 10 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1.73W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

TSOT-26

Pakki / hulstur

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Grunnvörunúmer

DMN1019

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

DMN1019UVT-7-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

DMN1019UVT-7DIDKR

DMN1019UVT-7DICT

DMN1019UVT-7DITR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J143TU,LF

MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K318R,LF

MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F

toshiba-semiconductor-and-storage

TK4R3E06PL,S1X

MOSFET N-CH 60V 80A TO220

diodes

DMG3407SSN-7

MOSFET P-CH 30V 4A SC59