DMN1004UFDF-7

Framleiðandi Vöru númer:

DMN1004UFDF-7

Product Overview

Framleiðandi:

Diodes Incorporated

Völu númer:

DMN1004UFDF-7-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 12 V 15A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6

Birgðir:

1880 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12949756

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

DMN1004UFDF-7 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Diodes Incorporated

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

12 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

15A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

47 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±8V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

2385 pF @ 6 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

2.1W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

U-DFN2020-6

Pakki / hulstur

6-UDFN Exposed Pad

Grunnvörunúmer

DMN1004

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

DMN1004UFDF-7-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

31-DMN1004UFDF-7DKR

DMN1004UFDF-7-DG

31-DMN1004UFDF-7TR

31-DMN1004UFDF-7CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

taiwan-semiconductor

TSM10NC60CF C0G

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S

diodes

DMTH10H015LK3-13

MOSFET N-CH 100V 52.5A TO252

toshiba-semiconductor-and-storage

TK40E10K3,S1X(S

MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3

diodes

DMNH6012LK3-13

MOSFET N-CH 60V 60A TO252