Framleiðandi Vöru númer:
DMG8N65SCT
Product Overview
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Völu númer:
DMG8N65SCT-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Birgðir:
12883489
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
DMG8N65SCT Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Diodes Incorporated
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1217 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB (Type TH)
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
DMG8N65
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFP7N80PM
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFP7N80PM-DG
Einingaverð
4.60
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFP7N80P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
299
HLUTARNÁMR
IXFP7N80P-DG
Einingaverð
2.31
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
DMTH4004SCTB-13
MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R
DMN3007LSS-13
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN67D8L-7
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23
